Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN67D8L-7
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7 Diodes Incorporated

DMN67D8L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.08 грн
6000+1.81 грн
9000+1.71 грн
15000+1.49 грн
21000+1.43 грн
30000+1.37 грн
75000+1.21 грн
150000+1.12 грн
300000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN67D8L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN67D8L-7 за ціною від 2.24 грн до 7.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN67D8L-7 DMN67D8L-7 Diodes Incorporated DMN67D8L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 1333313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.75 грн
57+5.30 грн
100+3.53 грн
500+2.52 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7 DMN67D8L-7 Diodes Incorporated DMN67D8L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7 DMN67D8L.pdf
DMN67D8L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 1333313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.75 грн
57+5.30 грн
100+3.53 грн
500+2.52 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7 DMN67D8L.pdf
DMN67D8L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.