на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN67D8L-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN67D8L-7 за ціною від 1.17 грн до 14.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 1329000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN67D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 1333313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 19082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| DMN67D8L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|