Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN67D8L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN67D8L-7 за ціною від 1.10 грн до 10.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 340mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1329000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
на замовлення 1333313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 19082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 385 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN67D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.08 грн |
| 6000+ | 1.81 грн |
| 9000+ | 1.71 грн |
| 15000+ | 1.49 грн |
| 21000+ | 1.43 грн |
| 30000+ | 1.37 грн |
| 75000+ | 1.21 грн |
| 150000+ | 1.12 грн |
| 300000+ | 1.10 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6025+ | 2.35 грн |
| 9000+ | 1.78 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.56 грн |
| 9000+ | 1.95 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.07 грн |
| 24000+ | 2.06 грн |
| 45000+ | 1.67 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5173+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.07 грн |
| 24000+ | 2.06 грн |
| 45000+ | 1.67 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 1333313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 7.75 грн |
| 57+ | 5.30 грн |
| 100+ | 3.53 грн |
| 500+ | 2.52 грн |
| 1000+ | 2.24 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 10.35 грн |
| 89+ | 8.50 грн |
| 91+ | 8.34 грн |
| 154+ | 4.75 грн |
| 250+ | 4.34 грн |
| 500+ | 3.89 грн |
| 1000+ | 2.34 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





