DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.30 грн |
| 22+ | 14.27 грн |
| 100+ | 8.94 грн |
| 500+ | 6.22 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції DMN67D8LDW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN67D8LDW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)