DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.53 грн |
| 22+ | 14.40 грн |
| 100+ | 9.02 грн |
| 500+ | 6.28 грн |
| 1000+ | 5.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 320mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN67D8LDW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 320mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN67D8LDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMN67D8LDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS
MOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



