Продукція > DIODES INC > DMN67D8LDW-7
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7 Diodes Inc

1070dmn67d8ldw.pdf Виробник: Diodes Inc
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN67D8LDW-7 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN67D8LDW-7 за ціною від 4.02 грн до 26.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3172+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3172
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.87 грн
9000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.71 грн
9000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN67D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.40 грн
22+15.50 грн
100+9.71 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN67D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833188_1-2542095.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.