DMN68M7SCT

DMN68M7SCT DIODES INC.


2918010.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+110.28 грн
10+ 81.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN68M7SCT DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 68V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.

Інші пропозиції DMN68M7SCT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN68M7SCT DMN68M7SCT Виробник : DIODES INC. 2918010.pdf Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)