DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated


DMN7022LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm.

Інші пропозиції DMN7022LFG-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated DMN7022LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG-7 DIODES INC. DIODS21683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG-7 DIODES INC. DIODS21683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated DMN7022LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DIODS21683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DIODS21683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7 DMN7022LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.