DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED


DMN90H8D5HCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.80 грн
9+48.39 грн
10+42.27 грн
50+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції DMN90H8D5HCT за ціною від 86.80 грн до 100.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT DIODES INC. DIOD-S-A0011483201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT-1374873.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
10+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DIOD-S-A0011483201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT-1374873.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.