Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN90H8D5HCT
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA4CADCDD798BF&compId=DMN90H8D5HCT.pdf?ci_sign=b0682038557cd54074b736ca1448c3ce2c5ef0d2 Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.68 грн
9+45.78 грн
10+39.99 грн
50+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції DMN90H8D5HCT за ціною від 44.56 грн до 105.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA4CADCDD798BF&compId=DMN90H8D5HCT.pdf?ci_sign=b0682038557cd54074b736ca1448c3ce2c5ef0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.62 грн
6+57.05 грн
10+47.98 грн
50+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT Виробник : Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.46 грн
10+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011483201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCT Виробник : Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT-1374873.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.