Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated

DMNH10H028SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.94 грн
5000+37.54 грн
12500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMNH10H028SK3-13 за ціною від 37.19 грн до 146.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-3214306.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.04 грн
10+90.09 грн
100+60.69 грн
500+51.40 грн
1000+41.95 грн
2500+37.56 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3-13 Виробник : Diodes Inc 1072dmnh10h028sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3.pdf DMNH10H028SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.