Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH10H028SK3Q-13
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated

DMNH10H028SK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMNH10H028SK3Q-13 за ціною від 51.81 грн до 134.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
10+99.07 грн
100+70.32 грн
500+56.15 грн
1000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q.pdf MOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.96 грн
10+111.14 грн
100+76.87 грн
250+75.41 грн
500+64.72 грн
1000+54.91 грн
2500+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q-13 Виробник : Diodes Inc 1073dmnh10h028sk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3Q.pdf DMNH10H028SK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.