Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH10H028SPS-13
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13 Diodes Incorporated

DMNH10H028SPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.53 грн
5000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH10H028SPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMNH10H028SPS-13 за ціною від 36.33 грн до 107.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.47 грн
10+74.46 грн
100+57.87 грн
500+46.03 грн
1000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SPS.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.88 грн
10+87.78 грн
100+59.30 грн
500+50.27 грн
1000+40.95 грн
2500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS-13 Виробник : Diodes Inc 1074dmnh10h028sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPS.pdf DMNH10H028SPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.