Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH10H028SPSQ-13
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.64 грн
5000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMNH10H028SPSQ-13 за ціною від 62.44 грн до 146.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH10H028SPSQ-13 DMNH10H028SPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
10+116.41 грн
100+92.67 грн
500+73.59 грн
1000+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13 DMNH10H028SPSQ-13 Виробник : Diodes Inc 1075dmnh10h028spsq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPSQ.pdf DMNH10H028SPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13 DMNH10H028SPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH10H028SPS-794646.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.