DMNH3010LK3-13 DIODES INCORPORATED


DMNH3010LK3.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
DMNH3010LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH3010LK3-13 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMNH3010LK3-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH3010LK3-13 DMNH3010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH3010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH3010LK3-13 DMNH3010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH3010LK3.pdf MOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.