Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH4005SCT
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT Diodes Incorporated

DMNH4005SCT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2846 pF @ 20 V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.60 грн
50+109.90 грн
100+99.20 грн
500+75.50 грн
1000+69.85 грн
2000+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH4005SCT Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.

Інші пропозиції DMNH4005SCT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMNH4005SCT DMNH4005SCT Diodes Incorporated DMNH4005SCT-3214558.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4005SCT DMNH4005SCT DIODES INC. DMNH4005SCT.pdf Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4005SCT DMNH4005SCT-3214558.pdf
DMNH4005SCT
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4005SCT DMNH4005SCT.pdf
DMNH4005SCT
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.