Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated

Name: DMNH4005SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 148806-4
Price: 440.37 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

на замовлення 2466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	146.79 грн
10+	91.53 грн
100+	53.66 грн
500+	42.52 грн
1000+	39.11 грн
2500+	33.88 грн
5000+	33.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI5060-8, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 48nC, On-state resistance: 4mΩ, Power dissipation: 2.8W, Drain current: 100A, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 150A, Kind of package: 13 inch reel; tape, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції DMNH4005SPSQ-13

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMNH4005SPSQ-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 48nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 150A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMNH4005SPSQ-13	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMNH4005SPSQ-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 48nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 150A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.