на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.99 грн |
| 10+ | 75.97 грн |
| 100+ | 46.35 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| 1000+ | 34.72 грн |
| 2500+ | 33.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, On-state resistance: 4mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 48nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 150A, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMNH4005SPSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH4005SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
| DMNH4005SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8 |
товару немає в наявності |
||
| DMNH4005SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A |
товару немає в наявності |