на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.60 грн |
| 10+ | 92.65 грн |
| 100+ | 54.33 грн |
| 500+ | 43.05 грн |
| 1000+ | 39.59 грн |
| 2500+ | 34.30 грн |
| 5000+ | 33.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI5060-8, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 48nC, On-state resistance: 4mΩ, Power dissipation: 2.8W, Drain current: 100A, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 150A, Kind of package: 13 inch reel; tape, Application: automotive industry.
Інші пропозиції DMNH4005SPSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH4005SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8 |
товару немає в наявності |
||
| DMNH4005SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 48nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 150A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |