DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 6mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 6mΩ
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 78.36 грн |
10+ | 69.73 грн |
13+ | 67.58 грн |
35+ | 63.98 грн |
50+ | 62.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 100W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 200A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 90A, On-state resistance: 6mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMNH6008SCT за ціною від 75.05 грн до 97.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMNH6008SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A On-state resistance: 6mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMNH6008SCT | Виробник : Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMNH6008SCT | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
товар відсутній |