Продукція > DIODES INC > DMNH6008SPS-13
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13 Diodes Inc


dmnh6008sps.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH6008SPS-13 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMNH6008SPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH6008SPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH6008SPS.pdf DMNH6008SPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH6008SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH6008SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH6008SPS.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.