Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH6012LK3Q-13
DMNH6012LK3Q-13

DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated

DMNH6012LK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.36 грн
5000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMNH6012LK3Q-13 за ціною від 34.05 грн до 98.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH6012LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+72.24 грн
100+50.76 грн
500+40.22 грн
1000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497913_1-2541995.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+77.65 грн
100+47.41 грн
500+38.38 грн
1000+35.45 грн
2500+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH6012LK3Q.pdf DMNH6012LK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.