DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated


DMNH6021SPDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.04 грн
5000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMNH6021SPDQ-13 за ціною від 45.54 грн до 145.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497886_1-2542037.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.44 грн
10+96.45 грн
100+66.80 грн
250+66.73 грн
500+53.34 грн
1000+49.07 грн
2500+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMNH6021SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+94.11 грн
100+67.28 грн
500+50.98 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDQ.pdf DMNH6021SPDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.