Продукція > DIODES INC. > DMNH6021SPSQ-13
DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC.


DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+67.66 грн
14+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMNH6021SPSQ-13 за ціною від 31.95 грн до 69.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497932_1-2542093.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.24 грн
10+ 60.56 грн
100+ 40.37 грн
500+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Виробник : Diodes Inc 2961dmnh6021spsq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMNH6021SPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors
товар відсутній