Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; Idm: 35A; 2.1W; SO8, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Gate charge: 8.8nC, On-state resistance: 65mΩ, Power dissipation: 2.1W, Drain current: 4.4A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 35A, Drain-source voltage: 60V, Kind of package: 13 inch reel; tape.
Інші пропозиції DMNH6042SSD-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMNH6042SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
DMNH6042SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; Idm: 35A; 2.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 8.8nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 4.4A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 35A Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMNH6042SSD-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8
MOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMNH6042SSD-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; Idm: 35A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; Idm: 35A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.