Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1005UFDF-7
DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated

DMP1005UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.25 грн
6000+14.40 грн
9000+13.76 грн
15000+12.24 грн
21000+11.84 грн
30000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V.

Інші пропозиції DMP1005UFDF-7 за ціною від 17.01 грн до 67.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP1005UFDF-7 DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1005UFDF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 33003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+40.22 грн
100+26.15 грн
500+18.85 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7 DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1005UFDF.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7 DMP1005UFDF.pdf
DMP1005UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 33003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
10+40.22 грн
100+26.15 грн
500+18.85 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7 DMP1005UFDF.pdf
DMP1005UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.