DMP1007UCB9-7 Diodes Incorporated


DMP1007UCB9.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.12 грн
6000+19.71 грн
9000+18.89 грн
15000+16.87 грн
21000+16.36 грн
30000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1007UCB9-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V.

Інші пропозиції DMP1007UCB9-7 за ціною від 22.97 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP1007UCB9-7 DMP1007UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1007UCB9.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 54686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+52.76 грн
100+34.73 грн
500+25.31 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7 DMP1007UCB9.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 54686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+52.76 грн
100+34.73 грн
500+25.31 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.