Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1009UFDFQ-7
DMP1009UFDFQ-7

DMP1009UFDFQ-7 Diodes Incorporated

DMP1009UFDFQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.35 грн
6000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1009UFDFQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP1009UFDFQ-7 за ціною від 13.50 грн до 66.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP1009UFDFQ-7 DMP1009UFDFQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1009UFDFQ.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.44 грн
10+39.24 грн
100+25.48 грн
500+18.36 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7 DMP1009UFDFQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956190_1-2513111.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.33 грн
10+42.00 грн
100+24.40 грн
500+19.03 грн
1000+17.26 грн
3000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7 DMP1009UFDFQ-7 Виробник : Diodes Inc dmp1009ufdfq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 11A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.