DMP1010UCA4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1212-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V
на замовлення 882000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.17 грн |
| 6000+ | 10.67 грн |
| 9000+ | 10.14 грн |
| 15000+ | 8.95 грн |
| 21000+ | 8.62 грн |
| 30000+ | 8.30 грн |
| 75000+ | 8.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1010UCA4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DSN1212-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V.
Інші пропозиції DMP1010UCA4-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP1010UCA4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1212-4 T&R 3K |
товару немає в наявності |