DMP1011LFV-13 DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1011LFV-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W, Power dissipation: 2.16W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 9.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±6V, Pulsed drain current: -70A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: -12V, Drain current: -10A, On-state resistance: 18.6mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMP1011LFV-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DMP1011LFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
DMP1011LFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DMP1011LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W Power dissipation: 2.16W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -10A On-state resistance: 18.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |