на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.92 грн |
| 10+ | 54.45 грн |
| 100+ | 31.01 грн |
| 500+ | 23.98 грн |
| 1000+ | 21.76 грн |
| 2000+ | 17.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -70A, Drain-source voltage: -12V, Drain current: -10A, Gate charge: 9.5nC, On-state resistance: 18.6mΩ, Power dissipation: 2.16W, Gate-source voltage: ±6V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET.
Інші пропозиції DMP1011LFV-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP1011LFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 |
товару немає в наявності |
||
| DMP1011LFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -12V Drain current: -10A Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 18.6mΩ Power dissipation: 2.16W Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |