Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1011LFV-7

DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated

Name: DMP1011LFV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 140500-4
Price: 440.2000000000001 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	88.04 грн
10+	53.91 грн
100+	30.70 грн
500+	23.74 грн
1000+	21.55 грн
2000+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -70A, Drain-source voltage: -12V, Drain current: -10A, Gate charge: 9.5nC, On-state resistance: 18.6mΩ, Power dissipation: 2.16W, Gate-source voltage: ±6V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції DMP1011LFV-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMP1011LFV-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -12V Drain current: -10A Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 18.6mΩ Power dissipation: 2.16W Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP1011LFV-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP1011LFV-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -12V Drain current: -10A Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 18.6mΩ Power dissipation: 2.16W Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.