Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1012UFDF-7
DMP1012UFDF-7

DMP1012UFDF-7 Diodes Incorporated

DMP1012UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1012UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP1012UFDF-7 за ціною від 9.82 грн до 47.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP1012UFDF-7 DMP1012UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1012UFDF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.20 грн
12+27.34 грн
100+19.02 грн
500+13.94 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7 DMP1012UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145080_1-2542369.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.71 грн
11+32.12 грн
100+19.26 грн
500+14.73 грн
1000+13.04 грн
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1012UFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.