DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.37 грн |
| 6000+ | 8.32 грн |
| 9000+ | 7.95 грн |
| 15000+ | 7.08 грн |
| 21000+ | 6.85 грн |
| 30000+ | 6.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V.
Інші пропозиції DMP1022UFDE-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1022UFDE-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
DMP1022UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A |
товару немає в наявності |