Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1022UFDF-13

DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated

Name: DMP1022UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5306146-3
Price: 125900 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10000+	12.59 грн
20000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP1022UFDF-13

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMP1022UFDF-13	Виробник : Diodes Inc	Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP1022UFDF-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 48.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -90A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8.8A On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 10000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP1022UFDF-13	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP1022UFDF-13	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 48.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -90A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8.8A On-state resistance: 32mΩ	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.