Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1045UCB4-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 530mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMP1045UCB4-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP1045UCB4-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
DMP1045UCB4-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-WLB0808-4 T&R 3K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP1045UCB4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMP1045UCB4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.