Продукція > DIODES INC > DMP1045UFY4-7
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7 Diodes Inc

dmp1045ufy4.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1045UFY4-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP1045UFY4-7 за ціною від 6.65 грн до 42.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1045UFY4.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.10 грн
6000+7.73 грн
9000+7.43 грн
15000+6.76 грн
21000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Zetex dmp1045ufy4.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.19 грн
6000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Zetex dmp1045ufy4.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Zetex dmp1045ufy4.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.83 грн
6000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS15564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.80 грн
500+12.76 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1045UFY4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN2015-3
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.20 грн
18+23.12 грн
30+19.61 грн
96+9.81 грн
263+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1045UFY4.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 190131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.57 грн
13+26.55 грн
100+16.96 грн
500+12.03 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1045UFY4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.79 грн
12+30.01 грн
100+16.68 грн
500+12.63 грн
1000+10.64 грн
3000+7.65 грн
6000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1045UFY4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN2015-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.24 грн
11+28.81 грн
30+23.53 грн
96+11.77 грн
263+11.19 грн
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS15564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.24 грн
27+32.11 грн
100+15.80 грн
500+12.76 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 Виробник : Diodes Zetex dmp1045ufy4.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.