DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.83 грн |
| 20000+ | 6.97 грн |
| 30000+ | 6.69 грн |
| 50000+ | 6.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).
Інші пропозиції DMP1046UFDB-13 за ціною від 6.28 грн до 41.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1046UFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC |
на замовлення 75137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1046UFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
на замовлення 58409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|