на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1046UFDB-7 Diodes Inc
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP1046UFDB-7 за ціною від 6.59 грн до 41.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1046UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1046UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC |
на замовлення 9303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1046UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 428205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP1046UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -3.8A; Idm: -15A; 2.2W Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.2W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 17.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A Drain current: -3.8A On-state resistance: 61mΩ Drain-source voltage: -12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP1046UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -3.8A; Idm: -15A; 2.2W Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.2W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 17.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A Drain current: -3.8A On-state resistance: 61mΩ Drain-source voltage: -12V |
товару немає в наявності |