DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.04 грн |
| 6000+ | 11.63 грн |
| 9000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP1055UFDB-7 за ціною від 9.88 грн до 57.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1055UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP1055UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP1055UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP1055UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP1055UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP1055UFDB-7 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |