DMP1055USW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.10 грн |
| 20000+ | 6.30 грн |
| 30000+ | 6.03 грн |
| 50000+ | 5.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1055USW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMP1055USW-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP1055USW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP1055USW-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DMP1055USW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss |
товару немає в наявності |