на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.52 грн |
| 5000+ | 17.26 грн |
| 10000+ | 11.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP10H400SK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP10H400SK3-13 за ціною від 14.23 грн до 82.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP10H400SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-CH MOSFET |
на замовлення 145624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V |
на замовлення 13668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |