на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP10H4D2S-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP10H4D2S-13 за ціною від 4.09 грн до 30.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP10H4D2S-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF |
на замовлення 9603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V |
на замовлення 199121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-13 | Виробник : Diodes Inc |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.21A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.44W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.21A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.44W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |