Продукція > DIODES ZETEX > DMP10H4D2S-7
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex

dmp10h4d2s.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.95 грн
9000+4.23 грн
99000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP10H4D2S-7 за ціною від 3.80 грн до 25.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex dmp10h4d2s.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
9000+4.23 грн
99000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
6000+4.57 грн
9000+4.32 грн
15000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex dmp10h4d2s.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1111+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex dmp10h4d2s.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex dmp10h4d2s.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
9000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex dmp10h4d2s.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 17889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
20+14.90 грн
100+9.38 грн
500+6.55 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S.pdf MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 51223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 DIODES INC. 4553132.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 DIODES INC. 4553132.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 dmp10h4d2s.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.95 грн
9000+4.23 грн
99000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.25 грн
6000+4.57 грн
9000+4.32 грн
15000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 dmp10h4d2s.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1111+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 dmp10h4d2s.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2385+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 dmp10h4d2s.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.99 грн
9000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 dmp10h4d2s.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.04 грн
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 17889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
20+14.90 грн
100+9.38 грн
500+6.55 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 51223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 4553132.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 4553132.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.