DMP1200UFR4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.61 грн |
| 6000+ | 7.11 грн |
| 9000+ | 6.89 грн |
| 15000+ | 6.36 грн |
| 21000+ | 6.19 грн |
| 30000+ | 5.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1200UFR4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V.
Інші пропозиції DMP1200UFR4-7 за ціною від 6.16 грн до 38.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1200UFR4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1200UFR4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP1200UFR4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Case: X2-DFN1010-3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -2A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 5.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP1200UFR4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Case: X2-DFN1010-3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -2A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 5.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |