DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated


DMP1245UFCL.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.15 грн
6000+13.90 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP1245UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 613mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1616, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP1245UFCL-7 за ціною від 12.81 грн до 65.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP1245UFCL-7 DMP1245UFCL-7 Виробник : DIODES INC. DMP1245UFCL.pdf Description: DIODES INC. - DMP1245UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 613mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.30 грн
500+18.45 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7 DMP1245UFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1245UFCL.pdf MOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.84 грн
10+37.74 грн
100+22.36 грн
500+18.41 грн
1000+15.92 грн
3000+12.88 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7 DMP1245UFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP1245UFCL.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.29 грн
10+37.27 грн
100+25.40 грн
500+18.67 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7 DMP1245UFCL-7 Виробник : DIODES INC. DMP1245UFCL.pdf Description: DIODES INC. - DMP1245UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 613mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.34 грн
21+39.82 грн
100+27.30 грн
500+18.45 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.