DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.89 грн |
| 20000+ | 3.42 грн |
| 30000+ | 3.26 грн |
| 50000+ | 2.88 грн |
| 70000+ | 2.78 грн |
| 100000+ | 2.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP1555UFA-7B за ціною від 3.93 грн до 26.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1555UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1555UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V |
на замовлення 149572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1555UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC |
на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1555UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|