Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP1555UFA-7B
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated

DMP1555UFA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.89 грн
20000+3.42 грн
30000+3.25 грн
50000+2.88 грн
70000+2.77 грн
100000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP1555UFA-7B за ціною від 3.93 грн до 23.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP1555UFA-7B DMP1555UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP1555UFA.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 149572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.75 грн
23+13.29 грн
100+8.37 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
2000+4.60 грн
5000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7B DMP1555UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP1555UFA.pdf MOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.75 грн
23+14.11 грн
100+7.74 грн
500+6.41 грн
1000+5.09 грн
2500+4.81 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1555UFA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -0.2A; 0.36W; X2-DFN0806-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -0.2A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -12V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.