DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated


DMP2002UPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP2002UPS-13 за ціною від 66.92 грн до 243.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.63 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2002UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 12609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.68 грн
10+141.24 грн
100+97.70 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.60 грн
10+167.91 грн
100+117.63 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2002UPS.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.73 грн
10+156.48 грн
100+94.45 грн
500+79.16 грн
1000+73.64 грн
2500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 Виробник : Diodes Inc 58955441564714dmp2002ups.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.