DMP2004UFG-13 Diodes Zetex


dmp2004ufg.pdf
Виробник: Diodes Zetex
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2004UFG-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2004UFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2004UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2004UFG-3240646.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -180A
Drain current: -95A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.