DMP2004UFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2004UFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2004UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2004UFG-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| DMP2004UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -180A Drain current: -95A Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±12V Gate charge: 83nC On-state resistance: 7mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2004UFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMP2004UFG-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -180A
Drain current: -95A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -180A
Drain current: -95A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.