DMP2004UFG-7 Diodes Incorporated


DMP2004UFG-3240646.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.67 грн
10+62.62 грн
100+37.14 грн
500+30.97 грн
1000+26.42 грн
2000+23.93 грн
4000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2004UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2004UFG-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2004UFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmp2004ufg.pdf 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7 Виробник : Diodes Inc dmp2004ufg.pdf 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2004UFG-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.