Технічний опис DMP2004UFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2004UFG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2004UFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| DMP2004UFG-7 | Diodes Zetex |
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2004UFG-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMP2004UFG-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.



