DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.06 грн |
| 10+ | 54.55 грн |
| 100+ | 36.02 грн |
| 500+ | 26.31 грн |
| 1000+ | 23.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMP2005UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2005UFG-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2005UFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)