Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2005UFG-13
DMP2005UFG-13

DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated

DMP2005UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.67 грн
10+54.92 грн
100+31.52 грн
500+24.54 грн
1000+22.73 грн
3000+19.24 грн
6000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2005UFG-13 за ціною від 24.35 грн до 91.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.77 грн
10+55.59 грн
100+36.70 грн
500+26.81 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2005UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 14mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.