Продукція > DIODES INC. > DMP2005UFG-7
DMP2005UFG-7

DMP2005UFG-7 DIODES INC.

DMP2005UFG.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2005UFG-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції DMP2005UFG-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2005UFG-7 DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7 DMP2005UFG-7 DIODES INC. DMP2005UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7 DMP2005UFG.pdf
DMP2005UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7 DMP2005UFG.pdf
DMP2005UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.