DMP2006UFG-7 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.07 грн |
| 10+ | 47.22 грн |
| 100+ | 26.88 грн |
| 500+ | 20.81 грн |
| 1000+ | 18.85 грн |
| 2000+ | 17.11 грн |
| 4000+ | 15.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2006UFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc), Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V.
Інші пропозиції DMP2006UFG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2006UFG-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DMP2006UFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2006UFG-7 |
Виробник: Diodes
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| DMP2006UFG-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)