на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.61 грн |
| 10+ | 53.71 грн |
| 100+ | 36.31 грн |
| 500+ | 30.84 грн |
| 1000+ | 25.11 грн |
| 3000+ | 24.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 200nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMP2006UFGQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2006UFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMP2006UFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
товар відсутній |
|
| DMP2006UFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
товар відсутній |