DMP2006UFGQ-13

DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated


DMP2006UFGQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1755000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.19 грн
6000+24.32 грн
9000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP2006UFGQ-13 за ціною від 26.58 грн до 103.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2006UFGQ-13 DMP2006UFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005736751_1-2542873.pdf MOSFETs 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.27 грн
10+58.43 грн
100+35.80 грн
500+28.70 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13 DMP2006UFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2006UFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1757879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.75 грн
10+62.99 грн
100+41.90 грн
500+30.80 грн
1000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2006UFGQ.pdf DMP2006UFGQ-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.