на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.73 грн |
| 10+ | 53 грн |
| 100+ | 35.83 грн |
| 500+ | 30.43 грн |
| 1000+ | 24.77 грн |
| 2000+ | 24.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2006UFGQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Pulsed drain current: -80A, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 200nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції DMP2006UFGQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2006UFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMP2006UFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
товар відсутній |
|
| DMP2006UFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |