DMP2007UFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.56 грн |
| 6000+ | 21.00 грн |
| 9000+ | 20.15 грн |
| 15000+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2007UFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2007UFG-13 за ціною від 24.43 грн до 92.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2007UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V |
на замовлення 408994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMP2007UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP2007UFG-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMP2007UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC |
товару немає в наявності |