Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2007UFG-7
DMP2007UFG-7

DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated

DMP2007UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+20.04 грн
4000+19.10 грн
6000+18.31 грн
10000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP2007UFG-7 за ціною від 21.95 грн до 61.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated DMP2007UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 66067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+47.16 грн
100+32.72 грн
500+24.17 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG.pdf
DMP2007UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 66067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.22 грн
10+47.16 грн
100+32.72 грн
500+24.17 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DIOD-S-A0001248767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2007UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DIOD-S-A0001248767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2007UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.