DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14.5A, On-state resistance: 9mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 85nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції DMP2007UFG-7 за ціною від 18.02 грн до 67.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2007UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC |
на замовлення 5630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2007UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 |
на замовлення 3682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP2007UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP2007UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
товар відсутній |