Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2007UFG-7
DMP2007UFG-7

DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated

DMP2007UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.79 грн
4000+19.19 грн
6000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2007UFG-7 за ціною від 18.68 грн до 70.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2007UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 80317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.62 грн
10+49.46 грн
100+34.29 грн
500+25.33 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 DMP2007UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2007UFG.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.57 грн
10+55.48 грн
100+33.50 грн
500+26.31 грн
1000+23.89 грн
2000+19.51 грн
4000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2007UFG.pdf DMP2007UFG-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.