DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13 Diodes Zetex


603dmp2008ufg.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2008UFG-13 Diodes Zetex

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -11A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції DMP2008UFG-13 за ціною від 13.85 грн до 14.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Inc 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2008UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2008UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2008UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2008UFG-247286.pdf MOSFET 20V P-CH MOSFET
товар відсутній
DMP2008UFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2008UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
товар відсутній