на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2008UFG-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2008UFG-13 за ціною від 13.36 грн до 63.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V |
на замовлення 675000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V |
на замовлення 679492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 72nC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMP2008UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP2008UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 72nC |
товару немає в наявності |